"Deposition method";Precursor(s);"Plasma source";"Deposition temperature (°C)";"Dep. rate (nm/min)";"Growth per cycle (Å)";"Refractive index";Composition;Reference;N/Si;"O at.%";"C (at.%)";"H (at.%)";"H- density (cm-3)"
PE-CVD;SiH4/N2/He;"CCP RF";250;4.4;n.a.;1.928;1.36;n.a.;n.a.;n.a.;"8.4 × 1021";[25]
SiH4/N2;"CCP RF";250;6.5;n.a.;2.348;;n.a.;n.a.;n.a.;"17.3 × 1021";[25]
SiH4/NH3/N2;ICP;200;~18;n.a.;1.90;~1.2;n.a.;n.a.;~32;n.a.;[28]
SiH4/N2;ICP;200;~20;n.a.;1.86;~1.3;n.a.;n.a.;~21;n.a.;[28]
SiH4/N2/N2;ECR;250;3;n.a.;1.94;~1.3;n.a.;n.a.;1.5;"4.5 × 1021";[29]
AP-PE-CVD;"SiH4/ N2 /He";"Parallel plate electrodes";200;50;n.a.;n.a.;1.22–1.45;6.3;0.15;32a;n.a.;[12]
PE-ALD;TSA/N2;ICP;240;0.08;1.20;1.94;0.84;6;"< d.l.";;n.a.;[30]
DSBAS/N2;ICP;200;0.04;0.12;1.89;1.2;4;4;8;n.a.;[7]
BTBAS/N2;ICP;200;0.09;0.32;1.83;1.7;5;9;11;n.a.;[7]
BDEAS/N2;CCP;200;0.3;2.30;n.a.;0.84;15.9;17.9;n.a.;n.a.;[10]
AP-PE-spatial-ALD;BDEAS/N2;DBD;200;1.52;0.19;1.87;1.34;4.7;13.9;;"35 × 1021";"This work"